【2022年 9 月 22 日,德国慕尼黑讯】在提高高压电源的性能、效率和可靠性的同时,也需要减少元器件的数量和BOM(材料清单)成本,并降低所需的设计工作量。为了满足这些需求,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出第五代固定频率(FF)CoolSET™ 产品组合,旨在提供合适的关键器件,以优化设计。英飞凌全新的800V和950V AC-DC集成式功率级(IPS)产品均采用DIP-7封装,可满足家用电器辅助电源、AC-DC转换器、电池充电器、太阳能系统以及电机控制和驱动等应用的需求。
固定频率 CoolSETTM解决方案在单个封装内集成了PWM控制器IC和最新的高压CoolMOS™ P7超结(SJ)MOSFET。扩展后的产品组合包含市场上首款集成了950V具有耐雪崩击穿能力的超结 MOSFET的功率半导体器件,支持更宽的输入电压范围。新器件同时支持隔离和非隔离的拓扑结构包括Flyback和Buck,可以在100 kHz和65 kHz的开关频率下工作。用一个器件同时支持低系统成本的Buck和通用的Flyback,可简化客户的供应链;集成的误差放大器支持原边反馈,这是非隔离式拓扑结构的典型特征,该特性还进一步减少了器件的数量和设计的复杂性。
集成软驱动和抖频率的降频模式减轻了电磁干扰,并提高了中、轻负载条件下的效率。支持连续导通模式(CCM)和不连续导通模式(DCM),在低压输入条件下,CCM可以降低导通损耗,从而提高效率,满足国际能效标准。集成的MOSFET支持诸如单相智能电表和工业应用相关的超宽输入电压范围。另外,该产品还有助于优化缓冲电路的设计,进一步提高效率及降低待机功耗。
所有新产品都集成多种的自恢复保护功能,在发生故障时通过自动重启功能支援供电系统。完善的保护功能再加上超结 MOSFET的高击穿电压特性,进一步提高了供电的稳定性。此外,主动突发模式(ABM)改善了轻载性能并实现了超低待机功耗,而且输出电压纹波小且可控。
SI3457CD品牌:Vishay/威世年份:2022产地:中国SI3457CD标签验标回复遴选:1、邓润华:标签无异常,可以2、···
GRM31CR61C476ME44L品牌:Murata/村田年份:2021产地:日本GRM31CR61C476ME44L标签验标回复遴选:1、邓润华···
BMI270品牌:Bosch Sensortec/博世传感年份:2024产地:菲律宾BMI270标签验标回复遴选:1、邓润华:博世标签···
STM32G031K8U6品牌:STMicroelectronics/意法半导体年份:2024STM32G031K8U6标签验标回复遴选:1、邓润华:···
DG9431DV-T1-E3品牌:Vishay/威世年份:2005产地:中国DG9431DV-T1-E3标签验标回复遴选:1、邓润华:标签无···
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CW2217BAAD品牌:CEllWISE/赛微年份:2024CW2217BAAD标签验标回复遴选:1、邓润华:可以2、方洪涛:看好3、···
FODM3063R2年份:2021产地:中国FODM3063R2标签验标回复遴选:1、方洪涛:看标没事2、黄德华:仙童的,整体···
1050281001品牌:Molex/莫仕年份:2022产地:中国1050281001标签验标回复遴选:1、邓润华:工厂标签,可以2···
TPS63060DSCR品牌:Texas Instruments/德州仪器年份:2021产地:马来西亚TPS63060DSCR标签验标回复遴选:1、···
MAX20402AFLE/VY+T品牌:Analog Devices/亚德诺年份:2023产地:中国台湾MAX20402AFLE/VY+T标签验标回复遴选···
TB67H45FNG品牌:Toshiba/东芝年份:2022TB67H45FNG标签验标回复遴选:1、方洪涛:看货为主,标重打,但不是···
HPG12P14SRT153T品牌:Amphenol Advanced Sensors年份:2020产地:中国HPG12P14SRT153T标签验标回复遴选:1···
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MIMX8MM6DVTLZAA品牌:NXP Semiconductors/恩智浦年份:2023MIMX8MM6DVTLZAA标签验标回复遴选:1、供应商判···
A1393SEHLT-T品牌:Allegro/急速微年份:2024产地:中国A1393SEHLT-T标签验标回复遴选:1、黄德华:可以2、···
B82793C0475N265品牌:TDK EPCOS年份:2023产地:中国B82793C0475N265标签验标回复遴选:1、方洪涛:看可以···