【2022年3月21日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化,进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。得益于其出色的品质,EDT2 IGBT符合并超越了车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101,因而能够大幅提升逆变器系统的性能和可靠性。该 IGBT采用汽车级微沟槽场中止单元设计,所用技术已成功应用于EasyPACK™ 2B EDT2和HybridPACK™等多款逆变器模块。
为了满足目标应用的要求,英飞凌新推出的EDT2 IGBT产品系列具备出色的抗短路能力。此外,它所采用的TO247PLUS封装具有更大的爬电距离,更有利于进行系统设计。同时,EDT2技术专门针对牵引逆变器进行了优化,击穿电压为750 V,可支持高达470 VDC的电池电压,并显著降低开关和导通损耗。
分立式EDT2 IGBT在100°C的温度条件下运行时,额定电流通常为120 A或200 A,这两款型号均具有极低的正向电压,相比上一代产品,导通损耗降低了13%。其中,额定电流为200 A的AIKQ200N75CP2,在采用TO247Plus封装的分立式IGBT产品中堪称出类拔萃。因此,仅需少量的并联器件,便可实现既定的目标功率等级,同时还可提高功率密度,降低系统成本。
此外,EDT2 IGBT的参数分布非常紧凑。集电极-发射极饱和电压(Vce(sat))的典型值与最大值之间相差不足200 mV,栅极阈值电压(VGEth)也相差不到750 mV。而且饱和电压为正温度系数。总之,这些特性有助于轻松实现并联运行,从而提高最终设计的系统灵活性和功率可扩展性。除此之外,这款IGBT器件还拥有平稳的开关特性、低栅极电荷(QG)和175°C的最高结温温度(Tvjop)等优点。
供货情况
英飞凌新推出的EDT2 IGBT包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2两种型号,现已开始供货。
SI3457CD品牌:Vishay/威世年份:2022产地:中国SI3457CD标签验标回复遴选:1、邓润华:标签无异常,可以2、···
GRM31CR61C476ME44L品牌:Murata/村田年份:2021产地:日本GRM31CR61C476ME44L标签验标回复遴选:1、邓润华···
BMI270品牌:Bosch Sensortec/博世传感年份:2024产地:菲律宾BMI270标签验标回复遴选:1、邓润华:博世标签···
STM32G031K8U6品牌:STMicroelectronics/意法半导体年份:2024STM32G031K8U6标签验标回复遴选:1、邓润华:···
DG9431DV-T1-E3品牌:Vishay/威世年份:2005产地:中国DG9431DV-T1-E3标签验标回复遴选:1、邓润华:标签无···
···
CW2217BAAD品牌:CEllWISE/赛微年份:2024CW2217BAAD标签验标回复遴选:1、邓润华:可以2、方洪涛:看好3、···
FODM3063R2年份:2021产地:中国FODM3063R2标签验标回复遴选:1、方洪涛:看标没事2、黄德华:仙童的,整体···
1050281001品牌:Molex/莫仕年份:2022产地:中国1050281001标签验标回复遴选:1、邓润华:工厂标签,可以2···
TPS63060DSCR品牌:Texas Instruments/德州仪器年份:2021产地:马来西亚TPS63060DSCR标签验标回复遴选:1、···
MAX20402AFLE/VY+T品牌:Analog Devices/亚德诺年份:2023产地:中国台湾MAX20402AFLE/VY+T标签验标回复遴选···
TB67H45FNG品牌:Toshiba/东芝年份:2022TB67H45FNG标签验标回复遴选:1、方洪涛:看货为主,标重打,但不是···
HPG12P14SRT153T品牌:Amphenol Advanced Sensors年份:2020产地:中国HPG12P14SRT153T标签验标回复遴选:1···
···
···
MIMX8MM6DVTLZAA品牌:NXP Semiconductors/恩智浦年份:2023MIMX8MM6DVTLZAA标签验标回复遴选:1、供应商判···
A1393SEHLT-T品牌:Allegro/急速微年份:2024产地:中国A1393SEHLT-T标签验标回复遴选:1、黄德华:可以2、···
B82793C0475N265品牌:TDK EPCOS年份:2023产地:中国B82793C0475N265标签验标回复遴选:1、方洪涛:看可以···