下一代氮化镓功率芯片助力全新旗舰Galaxy S22 Ultra 和S22+

　　加利福尼亚州埃尔塞贡多 — 2022 年 3 月 ［11］ — 氮化镓 （GaN） 功率芯片的行业领导者 Navitas Semiconductor（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布，其 GaNFast 技术已进入三星旗下旗舰手机 Galaxy S22 Ultra 和 S22+ 智能手机充电器。这款小巧、功能强大的 45W 快充充电器具有所有三星充电器中最高的功率密度，由 GaNFast 功率芯片助力实现。

　　配备 6.8 英寸屏幕和 5，000 毫安时电池的 S22 Ultra 和 6.6 英寸屏幕，4，500 毫安时电池的S22+是三星最新一代推出的旗舰智能手机。使用纳微GaNFast功率芯片的这款45W充电器（型号#EP-T4510）在USB-PD 和 PPS 快充协议下提供快速的充电功率。这款充电器的尺寸仅为 47.4 x 27.9 x 43.6 mm （57.7 cc），功率密度超过 1 W/cc。

　　GaN 是下一代半导体技术，其运行速度比传统硅芯片快 20 倍。 纳微专有的 GaN 功率 IC 在单个 SMT 封装中集成了 氮化镓器件，驱动，控制和保护功能。是易于使用、高速、高性能的“数字输入、电源输出”模块，与早期的硅方案相比，实现高达 3 倍的充电速度、节省一半的尺寸和重量，节能高达 40%。

　　Navitas 首席执行官兼联合创始人 Gene Sheridan 表示：“三星的消费者欣赏具有创新、性能和质量卓越的领先技术。 “三星和纳微在提供下一代充电性能的同时，专注确保效率提升和可持续发展。氮化镓为地球带来显著的环保益处，相比传统硅方案，每出货一个纳微GaNFast氮化镓功率芯片，可以减少 4 公斤的二氧化碳排放量。”