全新单片微波集成电路（MMIC）和分立器件，可满足5G、卫星通信和国防应用的性能要求

　　Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布大幅扩展其氮化镓（GaN）射频（RF）功率器件产品组合，推出频率最高可达20千兆赫（GHz）的新款单片微波集成电路（MMIC）和分立晶体管。这些器件同时具备高功率附加效率（PAE）和高线性度，为5G、电子战、卫星通信、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的性能水平。

　　与所有Microchip 的GaN射频功率产品一样，新器件采用碳化硅基氮化镓技术制造，提供了高功率密度和产量的最佳组合，可在高压下运行，255℃结温下使用寿命超过100万小时。

　　这些产品包括覆盖2至18 GHz、12至20 GHz、3 dB压缩点（P3dB）射频输出功率高达20W、效率高达25%的12至20 GHz的氮化镓MMIC；用于S和X波段、PAE高达60%的裸片和封装氮化镓MMIC放大器，以及覆盖直流至14 GHz、P3dB射频输出功率高达100W，最大效率为70%的分立高电子迁移率晶体管（HEMT）器件。

　　Microchip分立产品业务部副总裁Leon Gross表示：“Microchip持续投入打造GaN射频产品系列，以支持从微波到毫米波长所有频率的各种应用。我们的产品组合包括从低功率水平到2.2千瓦的50多种器件。今天宣布推出的产品跨越了2至20 GHz，旨在解决5G和其他无线网络采用的高阶调制技术带来的线性度和效率挑战，以及满足卫星通信和国防应用的独特需求。”

　　除GaN器件外，Microchip的射频半导体产品组合包括砷化镓（GaAs）射频放大器和模块、低噪声放大器、前端模块（RFFE）、变容二极管、肖特基和PIN二极管、射频开关和电压可变衰减器。此外，公司还提供高性能表面声波（SAW）传感器和微机电系统（MEMS）振荡器以及高度集成的模块。这些模块将单片机（MCU）与射频收发器（Wi-Fi® MCU）相结合，支持从蓝牙®和Wi-Fi到LoRa®的主要短程无线通信协议。

　　开发工具

　　Microchip及其分销合作伙伴均提供电路板设计支持，帮助客户进行设计。此外，公司还为该款全新GaN产品提供紧凑型模型，让客户能够更容易建立性能模型，加快系统中功率放大器的设计。

　　供货

　　今日发布的器件（包括ICP0349和ICP0349PP7）以及其他Microchip射频产品均已投入量产。