中国，2021年9月9日——意法半导体的 STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大，高低边输出信号传播延迟相同，都是45ns，能够驱动 GaN 增强型 FET 高频开关。

STDRIVEG600 的驱动电源电压高达 20V，还适用于驱动 N 沟道硅基 MOSFET管，在驱动 GaN 器件时，可以灵活地施加 6V 栅极-源极电压 （VGS），确保导通电阻 Rds（on）保持在较低水平。此外，驱动器还集成一个自举电路，可大限度降低物料清单成本，简化电路板布局。自举电路使用同步整流 MOSFET开关管，使自举电压达到VCC逻辑电源电压值，从而让驱动器只使用一个电源，而无需低压降稳压器 （LDO）。

STDRIVEG600的 dV/dt为±200V/ns，确保栅极控制在恶劣的电气环境中具有较高的可靠性。逻辑输入兼容低至 3.3V 的 CMOS/TTL信号，方便连接主微控制器或 DSP处理器。高边电路耐受电压高达 600V，可用于高压总线高达 500V 的应用领域。

驱动器的输出灌电流/拉电流为5.5A/6A，并提供独立的导通和关断引脚，让设计人员可以选择适合的栅极控制方式。此外，高低边电路都支持与功率开关源极相连的开尔文连接方法，以增强控制性能。低边驱动器的专用接地和电源电压引脚可实现开尔文连接，确保开关操作稳定，并允许使用分流电阻器检测电流，而无需额外的隔离或输入滤波电路。

驱动器内置完备的安全保护功能，其中，高低边驱动欠压锁定 （UVLO）可以防止功率开关管在低效率或危险工况下运行；互锁保护可以避免开关管交叉导通。其他保护功能包括过热保护、 省电关闭功能专用引脚。

STDRIVEG600 适用于高压 PFC、DC/DC 和 DC/AC 变换器、开关电源、UPS 电源系统、太阳能发电，以及家用电器、工厂自动化和工业驱动设备的电机驱动控制等应用。

驱动器有两款配套开发板，帮助设计人员快速启动新项目，其中，EVSTDRIVEG600DG 板载一个 150mΩ 650V GaN HEMT晶体管，该晶体管采用 5mm x 6mm PowerFLAT 封装，带有Kelvin驱动源引脚；EVSTDRIVEG600DM开发板配备一个STL33N60DM2 内置快速恢复二极管的MDmesh 115mΩ 600V硅基MOSFET功率开关，该晶体管采用带有Kelvin驱动源引脚的8mm x 8mm PowerFLAT封装或者 DPAK 封装。

STDRIVEG600 驱动芯片已量产，采用 16 引脚 SO16 封装。