NTS2101PT1G是一款P沟道功率MOSFET，提供-8V漏源电压和-1.4A连续漏极电流。它适用于高端负载开关，充电电路，单体电池应用，如手机，数码相机和PDA。



一、NTS2101PT1G的功能特点

1. 领先的Trench技术可实现低RDSON，延长电池寿命

2. -1.8V额定用于低压栅极驱动

3. 表面贴装，占地面积小2 x 2mm

4. -55至150°C工作结温范围

二、NTS2101PT1G的应用范围

电源管理，便携式设备，工业