强健的HIP221x驱动器具备高速和高压特性，延续瑞萨MOSFET驱动器在工业和消费应用领域的25年辉煌。

2020 年 6 月 29 日，日本东京讯 - 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子集团（TSE：6723）今日宣布推出两款全新100V半桥MOSFET驱动器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞萨电子备受欢迎的ISL2111桥驱动器的新一代引脚兼容升级产品；新款HIP2210提供三电平PWM输入，以简化电源和电机驱动器设计。HIP2211和HIP2210非常适用于48V通讯电源、D类音频放大器、太阳能逆变器和UPS逆变器。该产品坚固耐用，可为锂离子电池供电的家用和户外产品、水泵及冷却风扇中的48V电机驱动器供电。

HIP221x驱动器专为严苛工作条件下的可靠运行而设计，其高速、高压HS引脚可承受高达-10V的持续电压，并以50V/ns速度转换。全面的欠压保护与HIP2210的可编程防击穿保护协同工作，以确保其驱动的MOSFET不会因电源或其它外部故障而损坏。瑞萨HIP221x驱动器具有强大的3A驱动拉电流和4A驱动灌电流，以及极快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配，是高频开关应用的最佳解决方案。HIP2210和HIP2211两款产品均旨在搭配瑞萨先进的DC/DC及无刷电机驱动系统中的微控制器而设计。

瑞萨电子工业与通信事业部副总裁Philip Chesley表示：“创新的HIP221x延续了我们在Harris智能电源（HIP）半桥驱动器研发领域25年行业领先的辉煌历史。强大且稳健的抗噪性、超低传输延迟及高系统效率是我们的客户对整个HIP半桥MOSFET驱动器系列所依赖的关键特性。”

HIP2211和HIP2210的关键特性

• 15VDC自举电源最大电压（最大绝对值为120V HS）可支持100V半桥架构
• 宽VDD电压，工作范围为6V至18V（最大绝对值为20V）
• HS引脚可承受高达-10V的电压和50V/ns电压转换速率
• 集成0.5Ω典型自举二极管，无需使用外部分立二极管
• VDD和引导UVLO防止低栅极电压驱动NFET
• 通过RDT引脚（仅适用于HIP2210）的可调死区时间延迟可防止击穿，单电阻可调范围为35ns至350ns

供货信息

HIP2211和HIP2210现可从瑞萨电子全球分销商处购买，两款产品1，000片批量时单价均为1.3美元。HIP2211采用8引脚SOIC和10引脚4mm x 4mm TDFN封装。

HIP2210采用10引脚4mm x 4mm TDFN封装。